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各國在半導體業(yè)發(fā)展中的政策與啟示

時間:2023-02-20 08:37:27 電子商務論文 我要投稿
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各國在半導體業(yè)發(fā)展中的政策與啟示

 半導體產(chǎn)業(yè)作為尖端技術及高附加價值產(chǎn)業(yè)對其他產(chǎn)業(yè)的影響極大,是在整個國民經(jīng)濟中具有巨大戰(zhàn)略意義的關鍵性技術產(chǎn)業(yè),因此世界各國政府都將其視為國家的骨干產(chǎn)業(yè)。一國想走在世界經(jīng)濟的前列或是為了保衛(wèi)國家安全,都必須要進入這個耗資巨大而又發(fā)展極為迅速的技術領域。

  在其中,政府干預的影子在世界各國的半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中隨處可見。無論是半導體產(chǎn)品的研究開發(fā)、生產(chǎn)制造,或是與他國半導體產(chǎn)品的貿易,政府對半導體產(chǎn)業(yè)都具有深遠的影響。

  各發(fā)達國家的產(chǎn)業(yè)政策比較

  1.美國 美國是半導體技術的發(fā)源地.半導體發(fā)展的原始目的主要在于支持國防業(yè)和宇航業(yè),確保美國國防部能獲得最先進的武器系統(tǒng)和宇航局擁有最精密的操作控制設備。由于這兩個行業(yè)是半導體產(chǎn)品的主要需求者,從而決定了半導體行業(yè)發(fā)展的最初方向和性質。事實表明,美國國防部的采購對美國半導體業(yè)的早期發(fā)展具有決定性的影響,為其后來長期處于世界領先地位奠定了堅實基礎。但20世紀80年代美國作為半導體的主要生產(chǎn)商在全球的位次大幅度下降,這樣的衰退被很多美國人認為是對國家軍事安全和經(jīng)濟的嚴重威脅,不少人將其歸咎于美國政府微電子產(chǎn)業(yè)的政策方向。

  為了應對這種狀況,除美國政府繼續(xù)以巨大的國防支出來資助半導體業(yè)的研發(fā)外,1987年美國半導體協(xié)會成立。美國政府亦在貿易領域出臺了一系列政策以支持其半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,如1986年美國政府與日本簽定了《半導體協(xié)定》,原因是美國宣稱日本生產(chǎn)商以超低價格向美國傾銷芯片并限制美商進入日本國內市場。雙方最初簽定的公約于1991年到期后,美國政府又就該協(xié)定在下_個五年中的實施問題與日本政府磋商。而這次談判的重點則是要求日本市場對美國半導體生產(chǎn)商敞開大門。然而必須指出的是美國政府因從國防安全角度出發(fā)一直嚴格控制其尖端核心半導體設備的出口。然而隨著時代的發(fā)展,半導體技術的廣泛滲透性所造成的日益擴大的國際市場不是由哪幾家企業(yè)或哪幾個國家可以全部壟斷的。美國政府較為嚴格的出口限制勢必影響到美國半導體生產(chǎn)商在國際市場上的競爭力。

  2.日本 在日本,半導體產(chǎn)業(yè)政策的重心是半導體在工業(yè)和消費領域中的應用。在日本半導體業(yè)發(fā)展中,為全面扭轉最初其技術依附于歐美的弱勢地位, 日本的MITI發(fā)揮了強大的引導作用,為日本半導體企業(yè)的有序競爭構建了有效框架。分析其政策沿革,演變過程大體上經(jīng)歷了以下幾個階段。﹁是《電子工業(yè)振興臨時措施法》(簡稱"電振法")于1957年制定。其頒布實施有效地促進了日本企業(yè)在學習美國先進技術的基礎上,積極發(fā)展本國的半導體產(chǎn)業(yè)。二是《特定電子工業(yè)及特定機械工業(yè)振興臨時措施法》于1971年制定。該法進一步秉承了"電振法"的宗旨,強化了發(fā)展以半導體為代表的電子產(chǎn)業(yè)的力度。該法的實施成功地幫助日本企業(yè)通過加強自身研發(fā)、生產(chǎn)能力,有效地抵御了歐美半導體廠商的沖擊,進而使日本半導體制品不斷走向世界。三是《特定機械情報產(chǎn)業(yè)振興臨時措施法》在1978年制定(于1985年失效)。該法進一步加強了以半導體為核心的信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。上述三部專業(yè)法規(guī)在總體上加強了日本企業(yè)的競爭力。此后日本沒有頒布針對以半導體為基礎的電子、信息產(chǎn)業(yè)的專門法規(guī),而是改為通過綜合性法規(guī)在整體上推動包含半導體在內的高新技術的發(fā)展,其中較為重要的是于1995年出臺的《科學技術基本法》。

  MITI還通過限制外商在日本半導體產(chǎn)業(yè)的投資和要求通過直接購買方式來獲取技術從而避免了日本在技術上受到他國的控制和支配。直到20世紀70年代末,日本政府一直奉行著嚴厲的產(chǎn)業(yè)保護政策,包括進行嚴格的進口管制。對于外國企業(yè)在半導體領域的對日投資,日本政府也一直采取嚴格的審批制度,并附以禁止設立獨資企業(yè)、外國企業(yè)的所有專利技術需向合資公司公開等苛刻條件,而這些措施直到1975年才被放寬。之后,日本政府的政策稍微有所放松,但日本在微電子競爭中拔得頭籌的雄心壯志絲毫沒有減弱。非常明顯的一個例子就是由MITI提議的大規(guī)模綜合項目VLSI的實施。這個由日本政府出資40%的項目使日本五大半導體公司在一起通過合作共同研發(fā)更復雜先進的新一代技術產(chǎn)品。另外,日本外貿組織JETO通過其在全球55個以上國家所設有的分支機構為日本半導體生產(chǎn)商提供有關行業(yè)的最新資訊,有力的促進了科技信息的溝通與傳播。同時在融資上,日本政府主要利用國家開發(fā)銀行為半導體企業(yè)提供低利貸款,使企業(yè)借貸利率接近于零,這與美國同時期市場利率4%-5%相比較,可謂是具有極大優(yōu)勢。

  3.韓國 韓國相比美、日,韓國政府對半導體產(chǎn)業(yè)的參與力度似乎更大了一些。韓國政府通過多種渠道去培養(yǎng)和促使韓國大企業(yè)進入半導體領域。1976年政府成立了韓國電子技術學院(KIET),其主要職責是“計劃與協(xié)調半導體R&D、進口、吸收和傳播國外技術,為韓國企業(yè)提供技術支持,進行市場調研”。1982年,“長期半導體產(chǎn)業(yè)促進計劃”宣告啟動,韓國政府為四大主要半導體企業(yè)提供了大量的財政、稅收優(yōu)惠。1986年,韓國政府制訂了半導體信息技術開發(fā)方向的投資計劃,每年向半導體產(chǎn)業(yè)投資近億美元!罢呓(jīng)濟”的結果是韓國半導體市場的發(fā)展相當令人鼓舞。在歐、美地區(qū)雙雙衰退的情況下,韓國半導體產(chǎn)業(yè)2002年產(chǎn)值反而從95.8億美元增至112億美元,同比增長了17%。眾所周知,韓國半導體產(chǎn)業(yè)高度集中于記憶體領域,由于經(jīng)營記憶體的財團背后有著政府力量的強力支撐,因此雖然目前市場在供給過剩的壓力下利潤已漸趨稀薄,但三星、南亞科技等韓國企業(yè)憑借其規(guī)模效益,仍成為全球少數(shù)獲利的記憶體廠商。

  4.歐洲 歐洲繼美國和亞洲之后,第三大半導體生產(chǎn)基地當數(shù)歐洲。西歐的半導體產(chǎn)業(yè)政策的演變可大致分為三個階段:第一階段是1965年前,除政府對與國防相關的R&D進行投資和在政府采購中偏向于本國生產(chǎn)商外,基本上不存在政府對半導體業(yè)發(fā)展的干預行為;第二階段,1965年至1975年,歐洲政府非常重視計算機行業(yè),對半導體的科研給予了一些激勵措施,但政府的參與仍有相當?shù)木窒扌;第三階段,自1975年之后,歐洲各國政府逐漸加大了對半導體產(chǎn)業(yè)的支持力度,政策重心更集中于信息技術包括微電子方面。進入80年代后,歐洲各國政府積極推動半導體產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)的合作與發(fā)展,例如ESPRIT和JESSI項目。其中,后者耗資4億美元,主要致力于開發(fā)先進的微芯片技術。此外,西歐各國政府還聯(lián)合向非歐洲的半導體制造商施壓,要求他們不能僅僅是在歐洲進行加工組裝業(yè)務,而是更多的設立設計與技術部門。其目標則是希望通過一系列措施,能加速歐洲半導體的技術創(chuàng)新,鼓勵歐洲內部各國半導體企業(yè)間的交流與聯(lián)系,從而在一定程度上保護歐洲本土的半導體核心技術以及生產(chǎn)競爭力。

  歐盟委員會也進一步加強了保護其半導體工業(yè)的力度。1990年歐盟與日本政府簽署了一個自愿協(xié)議,規(guī)定了日本生產(chǎn)的標準存儲器片在歐洲共同市場上的最低售價。此外,歐盟委員會還向韓國半導體商采取了反傾銷措施。原因是韓國傾銷的芯片價格大大低于歐盟的可接受價格。1997年,最低售價又被再次強加到日本和韓國的1

4個半導體芯片制造商身上。2003年歐盟在判定韓國政府不公平地向芯片廠商現(xiàn)代半導體公司提供補貼后隨即決定向現(xiàn)代半導體公司的內存芯片征收34.8%的進口關稅。

  對我國的啟示與我國的對策措施

  從上文中我們可以看出,無論是美國、歐洲還是日本、韓國,沒有一個國家的政府對半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展采取放任政策,而是通過一系列政策手段進行扶植。即使是同一國家,政府在半導體工業(yè)發(fā)展的各個時期都制訂了不同的策略。我國的半導體產(chǎn)業(yè)總體水平與這些發(fā)達國家比較,在生產(chǎn)能力、設備水平、開發(fā)手段、工藝水平、產(chǎn)品技術指標、市場開拓等方面均存在很大差距。中國本土芯片制造企業(yè)目前只能滿足芯片市場大約20%的需求量,而其他近80%的需求都不得不通過進口產(chǎn)品來補充。與此同時,中國所有半導體企業(yè)的總銷售額僅占世界半導體總銷售的1.5%。因而我國應通過借鑒美國、日本等發(fā)達國家以及韓國、歐洲的發(fā)展經(jīng)驗,并結合中國半導體業(yè)現(xiàn)階段發(fā)展現(xiàn)狀,明確在半導體領域的定位和戰(zhàn)略,并相應的改進或調整該產(chǎn)業(yè)的政府管理模式和政策體系,以更好的促進中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,提升我國半導體產(chǎn)業(yè)的國際競爭力。為此,我國政府還應在政策層面上進行進一步的深化改革。

  1.中國應采取更加優(yōu)惠的政策,形成良好的投資環(huán)境吸引外資更多投入到中國半導體產(chǎn)業(yè)。

  美國、日本及韓國都是依靠優(yōu)惠的政策引導投資方向,使大量的資金涌入到半導體高技術領域,以加快產(chǎn)業(yè)結構向知識經(jīng)濟轉變的步伐。我國目前也采取了一系列優(yōu)惠性措施,比如2000年國務院頒布的《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》中規(guī)定,如果投資建立一個半導體產(chǎn)業(yè),國家要跟進投資,如果申請銀行貸款,國家將補貼1%到5%的利率。我國應制訂比其他國家更具吸引力的政策,從而吸引更多投資和技術進入這一國家戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè),例如要學習韓國充分利用入世3到5年的緩沖期保護幼稚產(chǎn)業(yè)的合理辦法,對半導體集成電路產(chǎn)業(yè)和半導體產(chǎn)品在WTO框架內給予更多的優(yōu)惠鼓勵政策。

  2.在短期內,可以借鑒走引進、消化、吸收、趕超的路子,重點發(fā)展市場需求大的半導體適用技術和產(chǎn)品,通過技術改造、資本積累和市場開拓的互動實現(xiàn)半導體產(chǎn)業(yè)水平的滾動發(fā)展。

  在引進投資時,要注意選準市場主體產(chǎn)品,引導企業(yè)進入高附加值市場。但從長期來看,我們應借鑒日本半導體企業(yè)奉行的自行設計、自行生產(chǎn)的原則,建立起設計與生產(chǎn)“一條龍”的行業(yè)體系,以官方為主導共同聯(lián)合生產(chǎn)技術的發(fā)展戰(zhàn)略,開發(fā)更多關鍵技術,增加擁有自主知識產(chǎn)權半導體產(chǎn)品的比例。當然如果大企業(yè)技術合作的目標是開發(fā)商品,這樣做由于利益沖突難獲成功。要學習美國、日本,先合作研究開發(fā)技術,大企業(yè)自己再搞商品化,合作開發(fā)才可能成功。除了大公司間進行技術密切合作外,還可以參考美國半導體工業(yè)主要由技術密集型中小企業(yè)構成的特點,積極鼓勵國內的民營企業(yè)和民營資本參與到半導體工業(yè)相關材料與設備研究制造上來。這是由芯片制造過程對設備、材料要求的多樣性、復雜性以及產(chǎn)品快速更新的特點所決定的。

  3.很多半導體業(yè)內人士一談及發(fā)展半導體的關鍵因素時,不約而同的認為是人才。

  目前我國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)最缺乏的就是人才,既包括技術人員,也包括半導體企業(yè)有經(jīng)驗的中高階主管。我們應學習馬來西亞等東南亞國家的發(fā)展經(jīng)驗,制定高工資、低(零)個人所得稅的人才吸引政策,吸引海外半導體設計、制造、管理專家來華工作。對少數(shù)高科技設計人員和工藝技術人員采取高薪聘任,甚至給予更優(yōu)惠的待遇,比如可持有企業(yè)股份等。同時決不可忽視對技術人才的培養(yǎng),為基層作業(yè)員、技工、工程師提供較好的專業(yè)素質培訓,這對一個以生產(chǎn)為導向的半導體企業(yè)來說也是至關重要的。

  4.加入國際聯(lián)盟是解決資金、人才和技術不足的有力途徑,是半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的趨勢。

  我們應該利用外商看好中國市場的時機,采取多種形式加入國際半導體聯(lián)盟。應該加強與國外同行的聯(lián)系,爭取通過一些項目在中國落戶,快速地提高我們的技術水平,創(chuàng)造雙贏的局面;積極參與真正的國際分工與合作,抓住國際產(chǎn)業(yè)轉移機會,擴大利用國際投資的能力,全面提高中國半導體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)業(yè)素質。


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