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新型反激變換器準(zhǔn)諧振控制器ICE1QS01及其應(yīng)用電路與設(shè)計

時間:2023-02-20 23:39:03 電子通信論文 我要投稿
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新型反激變換器準(zhǔn)諧振控制器ICE1QS01及其應(yīng)用電路與設(shè)計

  摘要:ICE1QS01是一種支持低功率待機和功率因數(shù)校正(PFC)的開關(guān)電源準(zhǔn)諧振控制器。介紹了ICE1QS01的基本結(jié)構(gòu)、工作原理及其應(yīng)用電路與設(shè)計。
  關(guān)鍵詞:準(zhǔn)諧振控制器;ICE1QS01;反激變換器;設(shè)計
  
  引言
  
  ICE1QS01是英飛凌公司推出的一種輸出功率范圍從1W到300W,帶或不帶功率因數(shù)校正(PFC)的反激式變換器控制器。該控制器IC工作在準(zhǔn)諧振模式,典型應(yīng)用包括TV,VCR,DVD播放機,衛(wèi)星接收機和筆記本電腦適配器等。
  
  為了在輕載下降低功率消耗,ICE1QS01隨著負(fù)載的減小,其開關(guān)頻率逐步數(shù)字式地降至20kHz的最低值。同時,隨頻率降低保持準(zhǔn)諧振模式。在從滿載到空載的整個負(fù)載范圍內(nèi),能夠平穩(wěn)工作。當(dāng)工作頻率降低時,IC的數(shù)字抗抖動電路可以消除過零信號的連續(xù)跳動,尤其是可以避免電視機中因偏轉(zhuǎn)引起的負(fù)載連續(xù)變化產(chǎn)生的抖動。為了減小功率MOSFET的開關(guān)應(yīng)力,功率晶體管總是在最低的電壓上接通。電壓調(diào)整既可利用內(nèi)部誤差放大器,也可利用外部光耦合器。由于采用新的初級調(diào)節(jié)方法,在變壓器控制繞組與控制輸入之間的外部整流電路,可用一個電壓分配器來取代。在待機模式下,IC自動進入突發(fā)模式,待機輸入功率遠(yuǎn)低于1W。保護功能包括Vcc過壓/欠壓鎖定,主線電壓欠壓關(guān)斷和電流限制等。ICE1QS01的啟動電流僅約50μA,它是一種低功耗綠色SMPS芯片。
  
  1芯片的封裝與電路組成及其功能與工作原理
  
  ICE1QS01采用P-DIP-8-4封裝,引腳排列如圖1所示。表1列出了各引腳的功能。
  
  表1引腳功能
  
  引腳
  
  符號
  
  功能簡述
  
  1
  
  N.C
  
  未連接
  
  2
  
  PCS
  
  初級電流模擬(simulation)輸入
  
  3
  
  RZI
  
  調(diào)整與過零信號輸入
  
  4
  
  SRC
  
  軟啟動和調(diào)整電容器連接端
  
  5
  
  OFC
  
  過電壓故障比較器輸入
  
  6
  
  GND
  
  地
  
  7
  
  OUT
  
  MOSFET柵極驅(qū)動器輸出
  
  8
  
  VCC
  
  電源電壓施加端
  
  ICE1QS01芯片主要由比較器,觸發(fā)器和數(shù)字處理電路組成,具體如圖2所示。
  
  在圖2所示的電路中,左上角部分為折彎點(foldbackpoint)校正單元。該部分電路的功能是在MOSFET導(dǎo)通期間,從腳RZI流出一個電流,電流源CS4提供的0.5mA的電流被扣除,所得到的電流I4乘以0.2(即為I3),被饋送到IC的PCS腳,從而增加PCS腳外部電容的充電電壓斜率。當(dāng)AC線路電壓升高時,MOSFET的導(dǎo)通時間縮短,最大輸出功率保持不變。主線電壓通過Vcc偏置繞組并經(jīng)連接在腳RZI上的一支電阻來檢測。
  
  在腳RZI內(nèi)部,門限電平5V和4.4V的比較器用于初級調(diào)整,門限電平1V和50mV的比較器分別是振鈴抑制時間比較器和過零信號比較器。
  
  在圖2的右上角是計數(shù)器、定時器和比較器組成的數(shù)字頻率降低電路以及反相輸入端為VRM=4.8V與VRH=4.4V并帶VRH鎖定的比較器和反相輸入端VRL=3.5V并帶VRL鎖定的比較器。
  
  在圖2的中央是軟啟動和通—斷(on-off)觸發(fā)器。軟啟動觸發(fā)器通過通—斷觸發(fā)器的上升沿(并利用沿檢測器ED1)置位。通—斷觸發(fā)器通過反相輸入端15V的比較器(圖2左下方)置位。該比較器上面是20V的Vcc過電壓比較器,下面是14.5V和9V的欠電壓比較器。IC腳PCS內(nèi)部電阻R2連接一個開關(guān),該開關(guān)由一個與門輸出控制,與門的輸入來自通—斷觸發(fā)器的輸出。在開關(guān)接通時,腳PCS外部電容放電到1.5V。當(dāng)進入PCS腳的電流低于100μA時,在主線欠電壓比較器輸出產(chǎn)生一個低電平輸出信號。該輸出信號經(jīng)一個與門和或門電路置位脈沖鎖定觸發(fā)器,與門的另一個輸入是接通時間觸發(fā)器的反相輸出。
  
  位于圖2中間下方的是突發(fā)觸發(fā)器和脈沖鎖定觸發(fā)器。突發(fā)觸發(fā)器由IC腳SRC內(nèi)的2V比較器輸出置位。突發(fā)觸發(fā)器的輸出,連接到脈沖鎖定觸發(fā)器的置位輸入。脈沖鎖定觸發(fā)器的輸出,影響接通時間觸發(fā)器的復(fù)位輸入。接通時間觸發(fā)器的輸出,連接到IC腳OUT內(nèi)的輸出緩沖器。脈沖鎖定觸發(fā)器也可由20V的過電壓比較器置位。
  
  IC腳SRC內(nèi)部的電流源CS1為SRC腳外部電容器提供500μA的放電電流。與CS1并聯(lián)的電流源CS2,通過軟啟動觸發(fā)器激活。CS2的電流通過50ms定時器控制逐步改變,以此為軟啟動產(chǎn)生上升的調(diào)節(jié)電壓。
  
  一個20kΩ的上控電阻R1下端在內(nèi)部連接到SRC腳,上端通過開關(guān)連接到5V的參考電壓。該開關(guān)由一個觸發(fā)器的輸出控制,該觸發(fā)器通過接通時間觸發(fā)器的輸出下降沿置位,以產(chǎn)生振鈴抑制時間。接通時間觸發(fā)器由過零信號經(jīng)過一個與門復(fù)位,該與門的另一個輸入是下部第二個觸發(fā)器的輸出。當(dāng)RZ1腳上的脈沖高度超過4.4V的門限時,第二個觸發(fā)器置位。
  
  在圖2右上部的數(shù)字頻率減小電路中,4位加/減(UP/DOWN)計數(shù)器的寄存數(shù)決定變壓器退磁后的過零信號數(shù)。過零信號計數(shù)器計數(shù)輸入過零信號,并由一個比較器檢測和放大。只要過零計數(shù)器存儲數(shù)與加/減計數(shù)器存儲數(shù)相等,比較器就發(fā)送一個輸出信號至接通時間觸發(fā)器,從而使功率MOSFET導(dǎo)通。為避免抖動,加/減計數(shù)器的存儲數(shù)僅在50ms定時器確定的每個50ms周期之后加1或減1改變,這種變化取于VRH和VRL鎖存狀態(tài)。如果兩個鎖存處于低態(tài),計數(shù)器增加1。如果僅VRL鎖定置位,加/減計數(shù)器仍不變化。如果VRL和VRH被置位于高電平,加/減計數(shù)器減少1。在此之后VRH與VRL鎖定被復(fù)位。在接下來的50ms內(nèi),VRH與VRL鎖存將再次置位。當(dāng)IC腳SRC上電壓VSRC<3.5V時,VRL鎖定置位,加/減計數(shù)器加1;當(dāng)VSRC>4.4V時,VRH鎖定置位,加/減計數(shù)器減1。在一個大的負(fù)載跳躍這后,為能迅速調(diào)節(jié)到最大的功率電平上,只要VSRC>4.8V時,加/減計數(shù)器被置位到1(0001)。
  
  圖2
  
  2應(yīng)用與設(shè)計
  
  2.1應(yīng)用實例與電路簡析
  
  圖3是由ICE1QS01作控制器的200W高端電視機SMPS電路。該電路輸入AC90~264V,4路輸出電壓/電流分別為135V/0.75A,30V/1.2A,15V/0.5A和7V/1.2A。
  
  連接于橋式整流器輸出與大容量濾波電容C07之間線路上的電感器L08,二極管D08以及在D08正極與功率開關(guān)S01漏極之間的電容C08,組成PFC電荷泵電路。其作用是與輸入端EMI濾波器一起,可在橋式整流器輸入端產(chǎn)生正弦波電流。ICE1QS01內(nèi)集成低功率待機突發(fā)模式電路,可使待機輸入功率低于1W。在負(fù)載減小時,利用集成數(shù)字處理電路能使開關(guān)頻率逐步降低,并不產(chǎn)生任何抖動。當(dāng)待機開關(guān)S1斷開時,參考二極管D60導(dǎo)通,輸出電壓V2調(diào)節(jié)值由齊納二極管D61確定。當(dāng)ICE1QS01腳4上的VSRC低于2V時,集成在芯片上的突發(fā)模式電路啟動。在激活內(nèi)部突發(fā)模式比較器后,柵極驅(qū)動輸出(OUT)切換到低電平,Vcc關(guān)閉門限由正常模式下的9V增加到14.5V。在突發(fā)模式期間,MOSFET導(dǎo)通時間至少為其最大導(dǎo)通時間的1/7。在突發(fā)之間的中斷時間(tbreake)縮短,輸出紋波通過跨越在AC主線輸入與二極管D26和D27接點之間的電容C21的一個附加充電電流而降低。
  
  二極管D62為正常模式與待機突發(fā)模式之間的過渡狀態(tài)而加入。當(dāng)待機開關(guān)S1閉合但輸出V2已經(jīng)無載時,加入D62可保證在突發(fā)模式下的正常周期。當(dāng)V2變低時,參考二極管D60被關(guān)斷。
  
  ICE1QS01腳3外部電阻R38和R29充當(dāng)變壓器脈沖的分壓器,腳3上的脈沖幅度約為4V。電容C29用作減小變壓器過沖。其腳2與DC干線電壓之間的電阻R22決定欠電壓鎖定門限。R22與電容C22相結(jié)合,可固定最大可能輸出功率。
  
  圖3
  
  2.2主要元件選擇
  
  2.2.1變壓器設(shè)計要點
  
  在圖3所示的應(yīng)用電路中,變壓器T1的參量已基本標(biāo)明。在此僅簡要敘述變壓器的計算公式。
  
  首先,必須計算SMPS最大輸入功率。若SMPS最大輸出功率為Pout(max),效率為η(通常取80%),最大輸入功率Pin(max)為
  
  Pin(max)=Pout(max)/η(1)
  
  在最低AC線路電壓VAC(min)下,SMPS初級平滑電容器(如圖3中的C07)上的DC電壓VDC(min)為
  
  
  
  式中:Fhum=0.9,為初級電容器上100Hz電壓紋波系數(shù);
  
  VAC(min)在通用寬范圍AC供電線路下,通常為85V或90V。
  
  在最高AC線路電壓VAC(max)(如264V)下,初級電容器上的最高DC電壓VDC(max)為
  
  
  
  式中:Fcp為在初級電容器上的過電壓因數(shù),當(dāng)SMPS不帶PFC時,F(xiàn)cp=1;若SMPS帶PFC,F(xiàn)cp=1.1。
  
  通過初級繞組的最大平均電流IP(max)可由式(4)計算。
  
  IP(max)=Pin(max)/VDC(min)(4)
  
  變壓器初級繞組匝數(shù)Np的計算公式為
  
  
  
  式中:Vd(max)=600V,為MOSFET允許最高漏極電壓;
  
  Bmax=300mT,為變壓器磁芯最大允許磁通密度;
  
  Fos為初級繞組過沖因數(shù),當(dāng)不帶PFC時,F(xiàn)os=1.3,當(dāng)帶PFC時,F(xiàn)os=1.8;
  
  磁芯有效截面積Ae和參量AL,可以從根據(jù)Pin(max)選擇的變壓器提供的數(shù)據(jù)中查得。
  
  每匝次級電壓Vts為
  
  Vts=[Vd(max)-Vdc(max)]/NpFos(6)
  
  MOSFET的最大漏極電流Id(max)為
  
  
  
  MOSFET最大導(dǎo)通時間ton(max)和最大截止時間toff(max)分別可用式(8)和式(9)計算。
  
  
  
  SMPS最低自由振蕩(freerunnign)頻率為
  
  
  
  如果SMPS最低頻率fmin<20kHz,即進入可聞音頻范圍,應(yīng)根據(jù)式(5)重新計算,Bmax取一個較低的值。
  
  2.2.2ICE1QS01各引腳外部主要元件的選擇考慮
  
  對于圖3所示的應(yīng)用電路,IC1(ICE1QS01)各引腳外部主要元件的選取依據(jù)如下。
  
  1)IC1腳2(PCS)上的電阻R22與電容C22
  
  當(dāng)流入腳2的電流低于100μA時,內(nèi)部主線欠壓保護電路啟動。在電容C07上的最低DC電壓VDC(min)根據(jù)式(2)取114V,于是R22=1.14MΩ,可取1MΩ標(biāo)準(zhǔn)電阻。
  
  當(dāng)R22選定之后,電容C22可根據(jù)式(11)計算。
  
  C22=VDC(min)ton(max)/(R22×3.5V)(11)
  
  2)腳3(RZ1)外部電阻R38,R29與電容C29
  
  R38的計算公式為
  
  R38=VDC(min)Nr/(Np×0.5mA)(12)
  
  式中:Nr為變壓器(T1)調(diào)節(jié)繞組匝數(shù)。
  
  當(dāng)選取VDC(min)=114V,Nr=7匝和Np=
  
  28匝時,R38=57kΩ,可?取56kΩ標(biāo)準(zhǔn)電阻。
  
  R29與R38組成調(diào)整繞組感應(yīng)電壓的分壓器。調(diào)整繞組感應(yīng)電壓(正值)為15V,考慮到初級和次級調(diào)節(jié),R29可根據(jù)式(13)和式(14)確定。
  
  R29=R38/〔(15V/5V)-1〕(13)
  
  R29=R38/〔(15V/4V)-1〕(14)
  
  在R38=56kΩ下,R29取值范圍為20~28kΩ。
  
  電容C29的計算公式為
  
  C29=1000ns/R38(15)
  
  據(jù)此,C29可選擇22PF的陶瓷電容器。適當(dāng)選擇C29可在腳3得到令人滿意的電壓波形,保證MOSFET在最小的漏極電壓上導(dǎo)通。
  
  3)腳4(SRC)上接地電容C28
  
  接電容影響調(diào)整尤其是初級調(diào)整的速度,但不影響軟啟動速度(原因是內(nèi)部數(shù)字軟啟動電路被激活)。C28通常選取1.5~10nF的容值。
  
  4)腳7(OUT)外部MOSFET柵極電阻R35
  
  選擇R35=33~100Ω,在MOSFET功率耗散與射頻噪聲(EMI)之間提供較理想的折衷方案。
  
  5)腳8(VCC)外部阻容元件
  
  電容C26容量選取33μF(25V)即可。若C26過大,啟動時間過長,并且突發(fā)頻率較低。
  
  C27充當(dāng)射頻濾波電容,可選取C27=100nF。
  
  電阻R26可用于增加突發(fā)頻率,取值范圍為0~50Ω。R37充當(dāng)射頻濾波元件并對Vcc起穩(wěn)定作用,取值范圍為0~100Ω。
  
  ICE1QS01腳5(OFC)不用接地。
  
  3結(jié)語
  
  ICE1QS01是一種被優(yōu)化的新型準(zhǔn)諧振控制器,其采用的適合于低端電視的低成本初級調(diào)節(jié)可以確保SMPS安全、可靠和有效地工作。這種調(diào)節(jié)技術(shù)因無須被隔離的次級反饋環(huán)而降低了成本。為了滿足低待機的需要,此IC特別增加了間歇模式和采用了獨特的數(shù)字式減頻特性的技術(shù),消除了影響系統(tǒng)穩(wěn)定性的抖動和支持穩(wěn)定的輸出電壓。
  
  
  
  

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